APTM120H140FT1G
工場モデル | APTM120H140FT1G |
---|---|
メーカー | Microchip Technology |
詳細な説明 | MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 |
パッケージ | SP1 |
株式 | 1602 pcs |
データシート | Integration 13/May/2020Package change 11/Oct/2021Assembly Site 23/Feb/2023Power Products CatalogMicrochip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
14 |
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$25.675 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 1mA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SP1 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.68Ohm @ 7A, 10V |
電力 - 最大 | 208W |
パッケージ/ケース | SP1 |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Chassis Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3812pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 145nC @ 10V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1200V (1.2kV) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A |
コンフィギュレーション | 4 N-Channel (Half Bridge) |
基本製品番号 | APTM120 |
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