APTC80H15T1G
| 工場モデル | APTC80H15T1G |
|---|---|
| メーカー | Microchip Technology |
| 詳細な説明 | MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1 |
| パッケージ | SP1 |
| 株式 | 1158 pcs |
| データシート | Integration 13/May/2020Package change 11/Oct/2021Assembly Site 23/Feb/2023Power Products CatalogMicrochip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 14 |
|---|
| $29.8 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.9V @ 2mA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP1 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 150mOhm @ 14A, 10V |
| 電力 - 最大 | 277W |
| パッケージ/ケース | SP1 |
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4507pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 180nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 28A |
| コンフィギュレーション | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| 基本製品番号 | APTC80 |
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