APT29F100B2
| 工場モデル | APT29F100B2 |
|---|---|
| メーカー | Microchip Technology |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX |
| パッケージ | T-MAX™ [B2] |
| 株式 | 5372 pcs |
| データシート | Integration 13/May/2020Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSFab Site 27/Jul/2022 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 100 |
|---|---|
| $7.191 | $6.213 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 2.5mA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | T-MAX™ [B2] |
| シリーズ | POWER MOS 8™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 440mOhm @ 16A, 10V |
| 電力消費（最大） | 1040W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 Variant |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8500 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 260 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) |
| 基本製品番号 | APT29F100 |
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