2N2779
| 工場モデル | 2N2779 |
|---|---|
| メーカー | Microchip Technology |
| 詳細な説明 | POWER BJT |
| パッケージ | TO-63 |
| 株式 | 251 pcs |
| データシート | Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 100 |
|---|
| $185.3 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのMicrochip Technologyシリーズの電子コンポーネントを専門としています。251のMicrochip Technology 2N2779の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 250 V |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | - |
| トランジスタ型式 | PNP |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-63 |
| シリーズ | - |
| 電力 - 最大 | 200 W |
| パッケージ/ケース | TO-211MB, TO-63-4, Stud |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 装着タイプ | Stud Mount |
| 周波数 - トランジション | - |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | - |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | - |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 30 A |
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