1N8182E3
工場モデル | 1N8182E3 |
---|---|
メーカー | Microchip Technology |
詳細な説明 | TVS DIODE 170VWM 294VC A AXIAL |
パッケージ | A, Axial |
株式 | 3712 pcs |
データシート | Manufacturing Change 23/Feb/2021 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
100 |
---|
$9.389 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのMicrochip Technologyシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3712のMicrochip Technology 1N8182E3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
RFQメール:info@Components-House.net
規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - 逆スタンドオフ(標準) | 170V |
電圧 - クランプ(最大)@IP | 294V |
電圧 - ブレークダウン(最小) | 190V |
単方向チャネル | 1 |
タイプ | Zener |
サプライヤデバイスパッケージ | A, Axial |
シリーズ | - |
電力線保護 | No |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パワー - ピークパルス | 150W |
パッケージ/ケース | A, Axial |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - ピークパルス(10 /1000μs) | 510mA |
静電容量@周波数 | - |
アプリケーション | General Purpose |
おすすめ商品
-
1N821/TR
DIODE ZENER TEMP COMPENSATEDMicrochip Technology -
1N821A
DIODE ZENER 6.2V 400MW DO35Solid State Inc. -
1N8182USE3
TVS DIODE 170VWM 294VC A SQ-MELFMicrochip Technology -
1N8180US
TVS DIODEMicrochip Technology -
1N8181E3
TVS DIODE 150VWM 261VC A AXIALMicrochip Technology -
1N821-1
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35Microchip Technology -
1N8181USE3
TVS DIODE 150VWM 261VC A SQ-MELFMicrochip Technology -
1N821-1E3
DIODE ZENER TEMP COMPENSATEDMicrochip Technology -
1N821
DIODE ZENER DO35Microchip Technology -
1N8180
TVS DIODEMicrochip Technology -
1N8182
TVS DIODE 170VWM 294VC A AXIALMicrochip Technology -
1N8179USE3
TVS DIODE 120VWM 208VC A SQ-MELFMicrochip Technology -
1N8180E3
TVS DIODE 130VWM 225VC A AXIALMicrochip Technology -
1N821-1/TR
DIODE ZENER TEMP COMPENSATEDMicrochip Technology -
1N8180USE3
TVS DIODE 130VWM 225VC A SQ-MELFMicrochip Technology -
1N821A
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35Microchip Technology -
1N8181
TVS DIODEMicrochip Technology -
1N8182US
TVS DIODEMicrochip Technology -
1N821-1E3/TR
DIODE ZENER TEMP COMPENSATEDMicrochip Technology -
1N8181US
TVS DIODEMicrochip Technology