1N5817E3/TR

工場モデル	1N5817E3/TR
メーカー	Microchip Technology
詳細な説明	DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41
パッケージ	DO-41
株式	14534 pcs
データシート	Microchip CA Prop65 Microchip REACH Microchip RoHS

提案された価格（米ドルでの測定）

200
$2.559

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規格

製品属性	属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@	450 mV @ 1 A
電圧 - 逆（VR）（最大）	20 V
技術	Schottky
サプライヤデバイスパッケージ	DO-41
速度	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ	-
パッケージ/ケース	DO-204AL, DO-41, Axial

製品属性	属性値
パッケージ	Tape & Reel (TR)
動作温度 - ジャンクション	-55°C ~ 150°C
装着タイプ	Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース	1 mA @ 20 V
電流 - 平均整流（イオ）	1A
Vrと、F @キャパシタンス	-

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