Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > ダイオード-整流器-シングル > 1N5809E3
1N5809E3 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

1N5809E3

工場モデル 1N5809E3
メーカー Microchip Technology
詳細な説明 DIODE GEN PURP 100V 6A B AXIAL
パッケージ B, Axial
株式 13359 pcs
データシート Manufacturing Change 23/Feb/2021Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS
提案された価格 （米ドルでの測定）
129
$2.781
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのMicrochip Technologyシリーズの電子コンポーネントを専門としています。13359のMicrochip Technology 1N5809E3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 875 mV @ 4 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 100 V
技術 Standard
サプライヤデバイスパッケージ B, Axial
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 30 ns
製品属性 属性値
パッケージ/ケース B, Axial
パッケージ Bulk
動作温度 - ジャンクション -65°C ~ 175°C
装着タイプ Through Hole
電流 - 平均整流（イオ​​） 6A
Vrと、F @キャパシタンス -

おすすめ商品

1N5809E3 データテーブルPDF

データシート

1N5809E3に関連した語彙

1N5809E3関連コンポーネント