1N5420E3
工場モデル | 1N5420E3 |
---|---|
メーカー | Microchip Technology |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL |
パッケージ | B, Axial |
株式 | 13353 pcs |
データシート | Manufacturing Change 23/Feb/2021Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
117 |
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$2.964 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.5 V @ 9 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 600 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | B, Axial |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/411 |
逆回復時間(trrの) | 400 ns |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ/ケース | B, Axial |
パッケージ | Bulk |
動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 平均整流(イオ) | 3A |
Vrと、F @キャパシタンス | - |
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