1N5417
工場モデル | 1N5417 |
---|---|
メーカー | Microchip Technology |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIAL |
パッケージ | B, Axial |
株式 | 16872 pcs |
データシート | Manufacturing Change 23/Feb/2021Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 |
---|
$2.006 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのMicrochip Technologyシリーズの電子コンポーネントを専門としています。16872のMicrochip Technology 1N5417の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
RFQメール:info@Components-House.net
規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.5 V @ 9 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 200 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | B, Axial |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 150 ns |
パッケージ/ケース | Axial |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Bulk |
動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 200 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 3A |
Vrと、F @キャパシタンス | - |
基本製品番号 | 1N5417 |
おすすめ商品
-
1N5417 BK
DIODE GEN PURP 200V 3A GPR-4AMCentral Semiconductor Corp -
1N5417 TR
DIODE GEN PURP 200V 3A GPR-4AMCentral Semiconductor Corp -
1N5416US
DIODE GEN PURP 100V 3A D-5BMicrochip Technology -
1N5416US/TR
DIODE GEN PURP 100V 3A D-5BMicrochip Technology -
1N5416 TR
DIODE GEN PURP 100V 3A GPR-4AMCentral Semiconductor Corp -
1N5417-1/TR
DIODE GEN PURP REV 200V 3A BMicrochip Technology -
1N5415US/TR
UFR,FRRMicrochip Technology -
1N5416
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIALMicrochip Technology -
1N5417E3
DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIALMicrochip Technology -
1N5417C.TR
DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIALSemtech Corporation -
1N5416GP-AP
InterfaceMicro Commercial Co -
1N5416 BK
DIODE GEN PURP 100V 3A GPR-4AMCentral Semiconductor Corp -
1N5416 BK TIN/LEAD
DIODE GEN PURP 100V 3A GPR-4AMCentral Semiconductor Corp -
1N5417/TR
DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIALMicrochip Technology -
1N5416GP-TP
InterfaceMicro Commercial Co -
1N5417E3/TR
DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIALMicrochip Technology -
1N5416/TR
DIODE GEN PURP 100V 3AMicrochip Technology -
1N5417-1
DIODE GEN PURP 200V 3A BMicrochip Technology -
1N5417-TAP
DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64Vishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N5417TR
DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64Vishay General Semiconductor - Diodes Division