TPS1101DR
| 工場モデル | TPS1101DR |
|---|---|
| メーカー | N/A |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC |
| パッケージ | 8-SOIC |
| 株式 | 100142 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 2500 | 5000 |
|---|---|
| $0.372 | $0.358 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | +2V, -15V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 90mOhm @ 2.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 791mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11.25 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.7V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 15 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.3A (Ta) |
| 基本製品番号 | TPS1101 |
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