LMG1210RVRT
工場モデル | LMG1210RVRT |
---|---|
メーカー | N/A |
詳細な説明 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 19WQFN |
パッケージ | 19-WQFN (3x4) |
株式 | 17857 pcs |
データシート | LMG1210 09/Aug/2019Thermal Considerations for Designing GaN Pwr. StagLMG1210Does GaN Have a Body Diode?Comprehensive Methodology to qualify the reliabili |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 25 | 100 |
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$2.576 | $2.327 | $2.218 | $1.926 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのN/Aシリーズの電子コンポーネントを専門としています。17857のN/A LMG1210RVRTの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電源電圧 - | 4.75V ~ 5.25V, 6V ~ 18V |
サプライヤデバイスパッケージ | 19-WQFN (3x4) |
シリーズ | - |
立上り/立下り時間(Typ) | 500ps, 500ps |
パッケージ/ケース | 19-WFQFN Exposed Pad |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
入力周波数 | 2 |
装着タイプ | Surface Mount, Wettable Flank |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
ロジック電圧 - VIL、VIH | - |
入力タイプ | Non-Inverting |
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) | 200 V |
ゲートタイプ | N-Channel MOSFET |
駆動構成 | Half-Bridge |
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) | 1.5A, 3A |
ベース・エミッタ間飽和電圧(最大) | Independent |
基本製品番号 | LMG1210 |
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