CSD25201W15
工場モデル | CSD25201W15 |
---|---|
メーカー | N/A |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA |
パッケージ | 9-DSBGA |
株式 | 3856 pcs |
データシート | Multiple Devices 20/Feb/2014 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.1V @ 250µA |
Vgs(最大) | -6V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 9-DSBGA |
シリーズ | NexFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 40mOhm @ 2A, 4.5V |
電力消費(最大) | 1.5W (Ta) |
パッケージ/ケース | 9-UFBGA, DSBGA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 510 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 5.6 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A (Ta) |
基本製品番号 | CSD25201 |
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