CSD16570Q5BT
| 工場モデル | CSD16570Q5BT |
|---|---|
| メーカー | N/A |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON |
| パッケージ | 8-VSONP (5x6) |
| 株式 | 60623 pcs |
| データシート | Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $1.017 | $0.913 | $0.734 |
納期
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RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.9V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-VSONP (5x6) |
| シリーズ | NexFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 0.59mOhm @ 50A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.2W (Ta), 195W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14000 pF @ 12 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 250 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Ta) |
| 基本製品番号 | CSD16570 |
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