VT6T1T2R
| 工場モデル | VT6T1T2R |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 詳細な説明 | PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC |
| パッケージ | VMT6 |
| 株式 | 884538 pcs |
| データシート | Transistor, MOSFET FlammabilityTransistor Whisker InfoTransistor, MOSFET Level 1 MSLMult Dev EOL 1/Sep/2021 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 8000 |
|---|
| $0.037 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 20V |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 300mV @ 10mA, 100mA |
| トランジスタ型式 | 2 PNP (Dual) |
| サプライヤデバイスパッケージ | VMT6 |
| シリーズ | - |
| 電力 - 最大 | 150mW |
| パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 周波数 - トランジション | 350MHz |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 120 @ 1mA, 6V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 100nA (ICBO) |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 200mA |
| 基本製品番号 | VT6T1 |
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