RT1A060APTR
| 工場モデル | RT1A060APTR |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST |
| パッケージ | 8-TSST |
| 株式 | 188547 pcs |
| データシート | Transistor, MOSFET FlammabilityTransistor Whisker InfoTransistor, MOSFET Level 1 MSLRT1A060AP ~ |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 |
|---|---|
| $0.24 | $0.21 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 1mA |
| Vgs（最大） | -8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSST |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 19mOhm @ 6A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 600mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7800 pF @ 6 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 80 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Ta) |
| 基本製品番号 | RT1A060 |
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