RS1L120GNTB
工場モデル | RS1L120GNTB |
---|---|
メーカー | Rohm Semiconductor |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP |
パッケージ | 8-HSOP |
株式 | 113685 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.639 | $0.573 | $0.461 | $0.378 | $0.314 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.7V @ 200µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSOP |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 12.7mOhm @ 12A, 10V |
電力消費(最大) | 3W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1330 pF @ 30 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 26 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 12A (Ta), 36A (Tc) |
基本製品番号 | RS1L |
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