RQ6E080AJTCR
| 工場モデル | RQ6E080AJTCR |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6 |
| パッケージ | TSMT6 (SC-95) |
| 株式 | 322814 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.323 | $0.286 | $0.219 | $0.173 | $0.139 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 2mA |
| Vgs（最大） | ±12V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT6 (SC-95) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 16.5mOhm @ 8A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 950mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1810 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16.2 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Ta) |
| 基本製品番号 | RQ6E080 |
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