RQ1E070RPTR
工場モデル | RQ1E070RPTR |
---|---|
メーカー | Rohm Semiconductor |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8 |
パッケージ | TSMT8 |
株式 | 195580 pcs |
データシート | Transistor, MOSFET FlammabilityTransistor Whisker InfoTransistor, MOSFET Level 1 MSL |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.442 | $0.396 | $0.309 | $0.255 | $0.202 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TSMT8 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 17mOhm @ 7A, 10V |
電力消費(最大) | 550mW (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2700 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 26 nC @ 5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 7A (Ta) |
基本製品番号 | RQ1E070 |
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