RP1L080SNTR
| 工場モデル | RP1L080SNTR |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 8A MPT6 |
| パッケージ | MPT6 |
| 株式 | 5795 pcs |
| データシート | RP1L080SN |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | MPT6 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 24mOhm @ 8A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1700 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Ta) |
| 基本製品番号 | RP1L080 |
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