RMW200N03TB
工場モデル | RMW200N03TB |
---|---|
メーカー | Rohm Semiconductor |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 20A 8PSOP |
パッケージ | 8-PSOP |
株式 | 131570 pcs |
データシート | RMW200N03 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 |
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$0.328 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRohm Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。131570のRohm Semiconductor RMW200N03TBの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-PSOP |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.2mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 3W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1780 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 29 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Ta) |
基本製品番号 | RMW200 |
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