RJ1L12BGNTLL
| 工場モデル | RJ1L12BGNTLL |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 詳細な説明 | NCH 60V 120A POWER MOSFET : RJ1L |
| パッケージ | TO-263AB |
| 株式 | 26360 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $2.742 | $2.477 | $2.051 | $1.786 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRohm Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。26360のRohm Semiconductor RJ1L12BGNTLLの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 500µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.9mOhm @ 40A, 10V |
| 電力消費（最大） | 192W (Ta) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9000 pF @ 30 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 175 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Ta) |
| 基本製品番号 | RJ1L12 |
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