RD3P02BATTL1
| 工場モデル | RD3P02BATTL1 |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 詳細な説明 | PCH -100V -20A POWER MOSFET: RD3 |
| パッケージ | TO-252 |
| 株式 | 118236 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.633 | $0.565 | $0.44 | $0.364 | $0.287 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 116mOhm @ 10A, 10V |
| 電力消費（最大） | 56W (Ta) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1480 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Ta) |
| 基本製品番号 | RD3P02 |
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