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RCD100N19TL

工場モデル RCD100N19TL
メーカー Rohm Semiconductor
詳細な説明 MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
パッケージ CPT3
株式 164106 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.498 $0.445 $0.347 $0.287 $0.226
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRohm Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。164106のRohm Semiconductor RCD100N19TLの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ CPT3
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 182mOhm @ 5A, 10V
電力消費（最大） 850mW (Ta), 20W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2000 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 52 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 190 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10A (Tc)
基本製品番号 RCD100

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