R6511ENXC7G
| 工場モデル | R6511ENXC7G |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 詳細な説明 | 650V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW |
| パッケージ | TO-220FM |
| 株式 | 64567 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| $1.336 | $1.2 | $0.983 | $0.837 | $0.706 | $0.671 | $0.645 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 320µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FM |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 400mOhm @ 3.8A, 10V |
| 電力消費（最大） | 53W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 670 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta) |
| 基本製品番号 | R6511 |
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