R6009JND3TL1
工場モデル | R6009JND3TL1 |
---|---|
メーカー | Rohm Semiconductor |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 9A TO252 |
パッケージ | TO-252 |
株式 | 86538 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.907 | $0.813 | $0.654 | $0.537 | $0.445 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 7V @ 1.38mA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 585mOhm @ 4.5A, 15V |
電力消費(最大) | 125W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 645 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 22 nC @ 15 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 15V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9A (Tc) |
基本製品番号 | R6009 |
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