HS8K1TB
| 工場モデル | HS8K1TB |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 詳細な説明 | 30V NCH+NCH POWER MOSFET |
| パッケージ | HSML3030L10 |
| 株式 | 225920 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.345 | $0.304 | $0.233 | $0.184 | $0.147 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRohm Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。225920のRohm Semiconductor HS8K1TBの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | HSML3030L10 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V |
| 電力 - 最大 | 2W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-UDFN Exposed Pad |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 348pF @ 15V, 429pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta), 11A (Ta) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | HS8K1 |
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