EMD5T2R
工場モデル | EMD5T2R |
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メーカー | Rohm Semiconductor |
詳細な説明 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
パッケージ | EMT6 |
株式 | 1147970 pcs |
データシート | Transistor, MOSFET FlammabilityTransistor Whisker InfoTransistor, MOSFET Level 1 MSL |
提案された価格 (米ドルでの測定)
8000 |
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$0.039 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 300mV @ 500µA, 10mA |
トランジスタ型式 | 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN |
サプライヤデバイスパッケージ | EMT6 |
シリーズ | - |
抵抗器ベース(R2) | 47kOhms, 10kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) | 47kOhms, 4.7kOhms |
電力 - 最大 | 150mW |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
装着タイプ | Surface Mount |
周波数 - トランジション | 250MHz |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |
基本製品番号 | EMD5T2 |
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