BSS84XHZGG2CR
工場モデル | BSS84XHZGG2CR |
---|---|
メーカー | Rohm Semiconductor |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W |
パッケージ | DFN1010-3W |
株式 | 420499 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.23 | $0.198 | $0.148 | $0.116 | $0.09 | $0.082 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 100µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | DFN1010-3W |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5.3Ohm @ 230mA, 10V |
電力消費(最大) | 1W (Ta) |
パッケージ/ケース | 3-XFDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 34 pF @ 30 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 230mA (Ta) |
基本製品番号 | BSS84 |
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