2SD1963T100Q

工場モデル	2SD1963T100Q
メーカー	Rohm Semiconductor
詳細な説明	TRANS GP BJT NPN 20V 3A 4-PIN(3+
パッケージ	MPT3
株式	6842 pcs
データシート

提案された価格（米ドルでの測定）

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規格

製品属性	属性値
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	20 V
IB、IC @ Vce飽和（最大）	300mV @ 2.5mA, 25mA
トランジスタ型式	PNP
サプライヤデバイスパッケージ	MPT3
シリーズ	-
電力 - 最大	500 mW
パッケージ/ケース	TO-243AA

製品属性	属性値
パッケージ	Tape & Reel (TR)
運転温度	150°C (TJ)
装着タイプ	Surface Mount
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）	180 @ 2mA, 6V
電流 - コレクタ遮断（最大）	500nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）	3 A
基本製品番号	2SD1963