IXZ631DF12N100
| 工場モデル | IXZ631DF12N100 |
|---|---|
| メーカー | IXYS-RF |
| 詳細な説明 | IC GATE DRVR LOW-SIDE 10SMD |
| パッケージ | 10-SMD |
| 株式 | 5492 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYS-RFシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5492のIXYS-RF IXZ631DF12N100の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
RFQメール：info@Components-House.net
規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電源電圧 - | 8V ~ 18V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 10-SMD |
| シリーズ | - |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 2.4ns, 1.55ns |
| パッケージ/ケース | 10-SMD, Flat Lead |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力周波数 | 1 |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 3.5V |
| 入力タイプ | Non-Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 1000 V |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET |
| 駆動構成 | Low-Side |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 72A, 72A |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Single |
| 基本製品番号 | IXZ631 |
おすすめ商品
-
IXZH16N60
RF MOSFET 600V 18A TO-247IXYS-RF -
IXZ316N60
RF MOSFET N-CHANNEL DE375IXYS-RF -
IXZ631DF18N50
IC GATE DRVR LOW-SIDE 10SMDIXYS-RF -
IXZ-500
EVBSTDK InvenSense -
IXZ308N120
RF MOSFET N-CHANNEL DE375IXYS-RF -
IXZR18N50
RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3IXYS-RF -
IXZ-2510
MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFNTDK InvenSense -
IXZ-650
EVBSTDK InvenSense -
IXZ318N50
RF MOSFET N-CHANNELIXYS-RF -
IXZR16N60
RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3IXYS-RF -
IXZH10N50L2A
RF MOSFET N-CHANNEL TO-247IXYS-RF -
IXZH10N50L2B
RF MOSFET N-CHANNEL TO-247IXYS-RF -
IXZR18N50A-00
RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3IXYS-RF -
IXZ210N50L2
RF MOSFET N-CHANNEL DE275IXYS-RF -
IXZR08N120
RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3IXYS-RF -
IXZR08N120A-00
RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3IXYS-RF -
IXZ210N50L
N-CHANNEL RF MOSFET 175MHIXYS -
IXZ2210N50L2
RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275IXYS-RF -
IXZ-2500
MEMS GYROSCOPETDK InvenSense -
IXZR08N120B-00
RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3IXYS-RF