W6672TJ320
工場モデル | W6672TJ320 |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 1.75KV 6672A - |
パッケージ | TO-200AF |
株式 | 4217 pcs |
データシート | W6672Tx320-350 Datasheet Prelim~ |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYSシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4217のIXYS W6672TJ320の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
RFQメール:info@Components-House.net
規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.37 V @ 5000 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 1750 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-200AF |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 52 µs |
パッケージ/ケース | TO-200AF |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Box |
動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 160°C |
装着タイプ | Chassis Mount |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 100 mA @ 1750 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 6672A |
Vrと、F @キャパシタンス | - |
基本製品番号 | W6672 |
おすすめ商品
-
W6672TE350
DIODE GEN PURP 1.9KV 6672A -IXYS -
W66BL6NBUAHJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAGJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAGJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W6672TE320
DIODE GEN PURP 1.75KV 6672A -IXYS -
W66BM6NBUAGJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAFJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAFJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAHJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAHJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAFJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W6672TJ350
DIODE GEN PURP 1.9KV 6672A -IXYS -
W66BL6NBUAFJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAFJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAHJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAGJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAGJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAGJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAHJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAFJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics