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IXYS

VWM200-01P

工場モデル VWM200-01P
メーカー IXYS
詳細な説明 MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
パッケージ V2-PAK
株式 4347 pcs
データシート VWM200-01P
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYSシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4347のIXYS VWM200-01Pの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 2mA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ V2-PAK
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 5.2mOhm @ 100A, 10V
電力 - 最大 -
パッケージ/ケース V2-PAK
パッケージ Box
運転温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Chassis Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds -
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 430nC @ 10V
FET特長 -
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 210A
コンフィギュレーション 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
基本製品番号 VWM200

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データシート

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