IXUC200N055
| 工場モデル | IXUC200N055 |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 55V 200A ISOPLUS220 |
| パッケージ | ISOPLUS220™ |
| 株式 | 4039 pcs |
| データシート | IXUC200N055Multiple Devices Material 14/Aug/2020Multiple Devices 13/Dec/2013 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 2mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOPLUS220™ |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.1mOhm @ 100A, 10V |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) |
| パッケージ/ケース | ISOPLUS220™ |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXUC200 |
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