IXTY1N80
工場モデル | IXTY1N80 |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 800V 750MA TO252AA |
パッケージ | TO-252AA |
株式 | 4631 pcs |
データシート | IXT(A,P,Y)1N80 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 25µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 11Ohm @ 500mA, 10V |
電力消費(最大) | 40W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Box |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 220 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 800 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 750mA (Tc) |
基本製品番号 | IXTY1 |
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