IXTY01N100
| 工場モデル | IXTY01N100 |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA |
| パッケージ | TO-252AA |
| 株式 | 82125 pcs |
| データシート | IXT(U,Y)01N100 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| $1.018 | $0.914 | $0.735 | $0.604 | $0.5 | $0.466 | $0.448 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 25µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 80Ohm @ 100mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 25W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 54 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.9 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100mA (Tc) |
| 基本製品番号 | IXTY01 |
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