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IXYS

IXTV30N60PS

工場モデル IXTV30N60PS
メーカー IXYS
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 30A PLUS-220SMD
パッケージ PLUS-220SMD
株式 4051 pcs
データシート Multiple Devices 22/Feb/2013IXT(H,Q,T,V)30N60P(S)
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYSシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4051のIXYS IXTV30N60PSの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 250µA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PLUS-220SMD
シリーズ PolarHV™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 240mOhm @ 15A, 10V
電力消費(最大) 540W (Tc)
パッケージ/ケース PLUS-220SMD
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5050 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 82 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 30A (Tc)
基本製品番号 IXTV30

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IXTV30N60PS データテーブルPDF

データシート