IXTU1R4N60P
| 工場モデル | IXTU1R4N60P |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251 |
| パッケージ | TO-251AA |
| 株式 | 6535 pcs |
| データシート | IXT(P,U,Y)1R4N60PMult Devices OBS 02/Mar/2018 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYSシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6535のIXYS IXTU1R4N60Pの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
RFQメール：info@Components-House.net
規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 25µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-251AA |
| シリーズ | PolarHV™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9Ohm @ 700mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 50W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 140 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.2 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.4A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXTU1 |
おすすめ商品
-
IXTU01N80
MOSFET N-CH 800V 100MA TO251IXYS -
IXTU2N80P
MOSFET N-CH 800V 2A TO251IXYS -
IXTU5N50P
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO252IXYS -
IXTU64N055T
MOSFET N-CH 55V 64A TO251IXYS -
IXTU05N120
MOSFET N-CH 1200V 500MA TO251IXYS -
IXTU4N70X2
MOSFET N-CH 700V 4A TO251IXYS -
IXTU06N120P
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO251IXYS -
IXTU01N100D
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO251IXYS -
IXTU05N100
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO251IXYS -
IXTU01N100
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO251IXYS -
IXTU55N075T
MOSFET N-CH 75V 55A TO251IXYS -
IXTU12N06T
MOSFET N-CH 60V 12A TO251IXYS -
IXTV03N400S
MOSFET N-CH 4000V 300MA PLUS220IXYS -
IXTU08N100P
MOSFET N-CH 1000V 8A TO251IXYS -
IXTU02N50D
MOSFET N-CH 500V 200MA TO251IXYS -
IXTU8N70X2
MOSFET N-CH 700V 8A TO251-3IXYS -
IXTT96N20P-TRL
MOSFET N-CH 200V 96A TO268IXYS -
IXTU44N10T
MOSFET N-CH 100V 44A TO251IXYS -
IXTU50N085T
MOSFET N-CH 85V 50A TO251IXYS -
IXTV02N250S
MOSFET N-CH 2500V 200MA PLUS220IXYS