IXTQ30N60P
工場モデル | IXTQ30N60P |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 30A TO3P |
パッケージ | TO-3P |
株式 | 20849 pcs |
データシート | Multiple Devices Material 23/Jun/2020IXT(H,Q,T,V)30N60P(S) |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$3.922 | $3.543 | $2.933 | $2.554 | $2.224 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P |
シリーズ | Polar |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 240mOhm @ 15A, 10V |
電力消費(最大) | 540W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5050 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 82 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30A (Tc) |
基本製品番号 | IXTQ30 |
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