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IXTP3N50P

工場モデル IXTP3N50P
メーカー IXYS
詳細な説明 MOSFET N-CH 500V 3.6A TO220AB
パッケージ TO-220-3
株式 4903 pcs
データシート IXT(A,P,Y) 3N50PMule Devices EOL 21/Mar/2018
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYSシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4903のIXYS IXTP3N50Pの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 5.5V @ 50µA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
シリーズ PolarHV™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 2Ohm @ 1.8A, 10V
電力消費(最大) 70W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 409 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 9.3 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 500 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.6A (Tc)
基本製品番号 IXTP3

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IXTP3N50P データテーブルPDF

データシート