IXTP3N50P
工場モデル | IXTP3N50P |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 500V 3.6A TO220AB |
パッケージ | TO-220-3 |
株式 | 4903 pcs |
データシート | IXT(A,P,Y) 3N50PMule Devices EOL 21/Mar/2018 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5.5V @ 50µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 |
シリーズ | PolarHV™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2Ohm @ 1.8A, 10V |
電力消費(最大) | 70W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 409 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.6A (Tc) |
基本製品番号 | IXTP3 |
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