IXTP1R6N100D2
| 工場モデル | IXTP1R6N100D2 |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB |
| パッケージ | TO-220-3 |
| 株式 | 61723 pcs |
| データシート | IXT(Y,A,P)1R6N100D2 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| $1.202 | $1.081 | $0.886 | $0.754 | $0.636 | $0.604 | $0.581 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 |
| シリーズ | Depletion |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10Ohm @ 800mA, 0V |
| 電力消費（最大） | 100W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 645 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 27 nC @ 5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | Depletion Mode |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.6A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXTP1 |
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