IXTH50P10
工場モデル | IXTH50P10 |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 100V 50A TO247 |
パッケージ | TO-247 (IXTH) |
株式 | 14935 pcs |
データシート | IXT(H,T)50P10 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$4.403 | $3.977 | $3.293 | $2.867 | $2.497 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 (IXTH) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 55mOhm @ 25A, 10V |
電力消費(最大) | 300W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4350 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 140 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 50A (Tc) |
基本製品番号 | IXTH50 |
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