IXTA80N10T7
| 工場モデル | IXTA80N10T7 |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7 |
| パッケージ | TO-263-7 (IXTA) |
| 株式 | 4570 pcs |
| データシート | IXTA80N10T7 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 100µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263-7 (IXTA) |
| シリーズ | TrenchMV™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14mOhm @ 25A, 10V |
| 電力消費（最大） | 230W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3040 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXTA80 |
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