IXTA3N60P
工場モデル | IXTA3N60P |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 3A TO263 |
パッケージ | TO-263AA |
株式 | 4594 pcs |
データシート | Mule Devices EOL 21/Mar/2018IXT(A,P,Y) 3N60P |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5.5V @ 50µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AA |
シリーズ | PolarHV™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.9Ohm @ 500mA, 10V |
電力消費(最大) | 70W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 411 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 9.8 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3A (Tc) |
基本製品番号 | IXTA3 |
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