IXFV110N10P
| 工場モデル | IXFV110N10P |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220 |
| パッケージ | PLUS220 |
| 株式 | 4886 pcs |
| データシート | Multiple Devices 16/Dec/2013IXF(H,V)110N10P(S) |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 4mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PLUS220 |
| シリーズ | PolarHT™ HiPerFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15mOhm @ 500mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 480W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3, Short Tab |
| パッケージ | Box |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3550 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 110A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXFV110 |
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