IXFR200N10P
| 工場モデル | IXFR200N10P |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247 |
| パッケージ | ISOPLUS247™ |
| 株式 | 7013 pcs |
| データシート | IXFR200N10P |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $7.577 | $6.962 | $5.88 | $5.231 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYSシリーズの電子コンポーネントを専門としています。7013のIXYS IXFR200N10Pの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 8mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOPLUS247™ |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9mOhm @ 100A, 10V |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Box |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7600 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 235 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 133A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXFR200 |
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