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IXFP10N60P

工場モデル IXFP10N60P
メーカー IXYS
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
パッケージ TO-220-3
株式 49497 pcs
データシート IXF(A,P)10N60P
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000
$1.695 $1.523 $1.248 $1.062 $0.896 $0.851
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYSシリーズの電子コンポーネントを専門としています。49497のIXYS IXFP10N60Pの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 5.5V @ 1mA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
シリーズ HiPerFET™, Polar
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 740mOhm @ 5A, 10V
電力消費(最大) 200W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1610 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 32 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 10A (Tc)
基本製品番号 IXFP10

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IXFP10N60P データテーブルPDF

データシート