IXFP10N60P
工場モデル | IXFP10N60P |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB |
パッケージ | TO-220-3 |
株式 | 49497 pcs |
データシート | IXF(A,P)10N60P |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$1.695 | $1.523 | $1.248 | $1.062 | $0.896 | $0.851 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5.5V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 |
シリーズ | HiPerFET™, Polar |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 740mOhm @ 5A, 10V |
電力消費(最大) | 200W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1610 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 32 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10A (Tc) |
基本製品番号 | IXFP10 |
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