IXFN50N120SIC
| 工場モデル | IXFN50N120SIC |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 詳細な説明 | SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B |
| パッケージ | SOT-227B |
| 株式 | 1691 pcs |
| データシート | IXFN50N120SIC |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $30.888 | $29.342 | $26.447 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 2mA |
| Vgs（最大） | +20V, -5V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50mOhm @ 40A, 20V |
| 電力消費（最大） | - |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1900 pF @ 1000 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 100 nC @ 20 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 47A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXFN50 |
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