Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IXFK30N100Q2
IXYS

IXFK30N100Q2

工場モデル IXFK30N100Q2
メーカー IXYS
詳細な説明 MOSFET N-CH 1000V 30A TO264AA
パッケージ TO-264AA (IXFK)
株式 4265 pcs
データシート IXF(K,X)30N100Q2DK OBS NOTICE
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYSシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4265のIXYS IXFK30N100Q2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 8mA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-264AA (IXFK)
シリーズ HiPerFET™, Q2 Class
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 400mOhm @ 15A, 10V
電力消費(最大) 735W (Tc)
パッケージ/ケース TO-264-3, TO-264AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 8200 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 186 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 1000 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 30A (Tc)
基本製品番号 IXFK30

おすすめ商品

IXFK30N100Q2 データテーブルPDF

データシート