IXFE73N30Q
工場モデル | IXFE73N30Q |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B |
パッケージ | SOT-227B |
株式 | 4851 pcs |
データシート | IXFE73N30Q |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 4mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B |
シリーズ | HiPerFET™, Q Class |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 46mOhm @ 36.5A, 10V |
電力消費(最大) | 400W (Tc) |
パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Chassis Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 6400 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 190 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 300 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 66A (Tc) |
基本製品番号 | IXFE73 |
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