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IXBA16N170AHV-TRL Image
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IXBA16N170AHV-TRL

工場モデル IXBA16N170AHV-TRL
メーカー IXYS
詳細な説明 DISC IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT TO-
パッケージ TO-263HV
株式 2673 pcs
データシート
提案された価格 (米ドルでの測定)
800
$14.716
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYSシリーズの電子コンポーネントを専門としています。2673のIXYS IXBA16N170AHV-TRLの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 1700 V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) 6V @ 15V, 10A
試験条件 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Td(オン/オフ)@ 25℃ 15ns/160ns
エネルギーの切り替え 1.2mJ (off)
サプライヤデバイスパッケージ TO-263HV
シリーズ BIMOSFET™
逆回復時間(trrの) 360 ns
電力 - 最大 150 W
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
製品属性 属性値
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力タイプ Standard
IGBTタイプ -
ゲートチャージ 65 nC
電流 - コレクタパルス(ICM) 40 A
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 16 A
基本製品番号 IXBA16

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